Prime Wafer

Prime Wafer

I wafer principali sono la base della moderna produzione di semiconduttori. Con un controllo rigoroso sulla planarità, i livelli di particelle e la resistività, forniscono la precisione necessaria per la fabbricazione di chip. Questi wafer assicurano che ogni fase di produzione sia prevedibile e ripetibile, supportando la qualità elevata e costante nella produzione avanzata dei dispositivi.
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Descrizione
Parametri tecnici

 

Prodotti Introduzione

 

 

Bare Wafer1

 

Proprietà materiali

 

 

 

Specifiche principali 6" 8" 12"
Metodo di crescita Cz Cz Cz
Diametro (mm) 150±0.5 200±0.5 300±0.5
Tipo/drogante: P/boro o n/ph P/boro o n/ph P/boro o n/ph
Spessore (μm) 625±25/675±25 725±25 775±25
Resistività 1–100Ω 1–100Ω 1–100Ω
TTV Meno o uguale a 10um Meno o uguale a 10um Meno o uguale a 10um
ARCO Meno o uguale a 40um Meno o uguale a 40um Meno o uguale a 40um
ORDITO Meno o uguale a 40um Meno o uguale a 40um Meno o uguale a 40um
Particella Meno o uguale a 30ea@ maggiore o uguale a 0,2um Meno o uguale a 30ea@ maggiore o uguale a 0,2um Meno o uguale a 30ea@ maggiore o uguale a 0,2um
Piatto/tacca Appartamenti/tacca Appartamenti/tacca Tacca
Finitura superficiale AS - CUT/LAPPAP/ETCED/SSP/DSP AS - CUT/LAPPAP/ETCED/SSP/DSP AS - CUT/LAPPAP/ETCED/SSP/DSP
Specifiche personalizzate disponibili

 

 

 

Bare Wafer 1

I wafer primi sono fabbricati per soddisfare i più alti standard richiesti per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore. Con controlli più stretti su livelli di TTV, prua, ordito e particelle, questi wafer offrono planarità e qualità della superficie superiori, rendendoli ideali per la produzione di chip e lo sviluppo avanzato dei processi. Sia per la produzione di educazione alla scala o di precisione di grandi dimensioni o R&D di precisione, i wafer Prime forniscono la coerenza necessaria per ottenere il rendimento e le prestazioni massimi.

 

 

 

 

Caratteristiche del prodotto

 

 

 

Dimensioni disponibili:6 ", 8" e 12 "

Metodo di crescita:Processo CZ (Czochralski)

Tolleranza del diametro:150 ± 0,5 mm, 200 ± 0,5 mm, 300 ± 0,5 mm

Opzioni di doping:P - type (boron) o n - type (fosforo)

Spessore:625–775 µm (a seconda della dimensione del wafer)

Range di resistività: 1–100 Ω

TTV:Meno o uguale a 10 µm

ARCO:Meno o uguale a 40 µm

Ordito:Meno o uguale a 40 µm

Livello di particelle:Meno o uguale a 30@ maggiore o uguale a 0,2 µm

Opzioni piatte/tacca:Appartamenti o tacca

Finitura superficiale:AS - taglio, lappato, inciso, ssp, dsp

Personalizzabile:Specifiche su misura disponibili

 

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Etichetta sexy: Prime Wafer, Cina, fornitori, produttori, fabbrica, realizzato in Cina

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