• Cella solare HJT mono bifacciale tipo N
    Silicon Heterojunction Technology (HJT) si basa su un emettitore e un campo superficiale posteriore (BSF) prodotti dalla crescita a bassa temperatura di strati ultrasottili di silicio amorfo (a-Si: H) su entrambi i lati di wafer di silicio
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  • Cella solare HJT tipo N da 210 mm M12
    La cella solare M12 da 210 mm con tecnologia di eterogiunzione al silicio (HJT) ha un'efficienza del 24,4% e una potenza nominale di 10,76 Watt per cella.
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  • Cella solare HJT tipo N da 166 mm M6
    La Silicon Heterojunction Technology (HJT) si basa su un emettitore e un campo di superficie posteriore (BSF) prodotti dalla crescita a bassa temperatura di strati ultrasottili di silicio amorfo (a-Si:H) su entrambi i lati di wafer di
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  • Cella solare TOPCon bifacciale tipo N 210 mm M12
    La tecnologia TOPCON (tunnel oxide passivated contact) aumenta l'efficienza delle celle solari di tipo N fino al 25 percento. La cella solare industriale TOPCon da 210 mm ha un'efficienza massima del 24,4 percento e una potenza nominale di
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  • Cella solare PERC monocristallina M12 da 210 mm bifacciale
    La cella solare da 210 mm di efficienza del 23% è con 10,14 watt di potenza nominale. 132 pezzi di celle solari PERC mono da 210 mm tagliate a metà possono assemblare pannelli solari con potenza fino a 670 watt.
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  • Cella solare bifacciale M10 PERC monocristallino da 182 mm
    Laser SE combinato con la tecnologia PERC rende la potenza nominale della cella solare da 182 mm fino a 7,58 W con un'efficienza del 23%. 72 pezzi di celle solari Mono PERC da 182 mm combinati con la tecnologia half-cut possono produrre
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  • Cella solare TOPCon bifacciale M10 tipo N da 182 mm
    La tecnologia TOPCON (tunnel oxide passivated contact) aumenta l'efficienza della cella solare di tipo N fino al 24,5%. La cella solare TOPCon monocristallina di tipo N da 182 mm ha una potenza nominale di 8,08 Watt con un'efficienza del
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  • Cella solare TOPCon bifacciale M6 tipo N da 166 mm
    Aggiornata dalla tecnologia PERT, la tecnologia TOPCON (tunnel oxide passivated contact) combinata con lo strato di passivazione AlOx/SiNx aumenta l'efficienza della cella solare di tipo N da 166 mm fino al 24,4%. La cella solare TOPCon
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  • Cella solare PERT bifacciale pseudo-quadrata tipo N
    Le celle solari al silicio mono bifacciale di tipo N PERT (emettitore passivo posteriore totalmente diffuso) possiedono efficienze di conversione elevate e stabilizzate. La cella solare PERT bifacciale di tipo n può essere prodotta con
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  • Cella solare bifacciale PERT tipo N da 158,75 mm
    Le celle solari in silicio mono bifacciale di tipo N PERT (emettitore passivo posteriore totalmente diffuso) possiedono efficienze di conversione elevate e stabilizzate. Le celle solari in silicio di tipo N sono considerate alternative
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  • P Tipo Full Square Monocrystalline Silicon Solar Cell
    La tecnologia delle celle PERC definisce un'architettura a celle solari che differisce dall'architettura cellulare standard che è in uso da tre decenni e che di solito è presente in tutti i manuali fotovoltaici. PERC è in alto nella lista
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  • P Tipo 158.75mm Monocristallino Silicon Solar Cell
    PREC è l'abbreviazione di Passivated Emitter e Rear Cell. Si basa sulla cella solare in silicio monocristallino di tipo P. La tecnologia delle celle PERC definisce un'architettura a celle solari che differisce dall'architettura cellulare
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Celle solari al silicio avanzate di tipo N e P per la produzione di pannelli solari, inclusi M2, M4, G1, M6, M10, M12.

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