【Descrizione del prodotto】

La Silicon Heterojunction Technology (HJT) si basa su un emettitore e un campo di superficie posteriore (BSF) prodotti dalla crescita a bassa temperatura di strati ultrasottili di silicio amorfo (a-Si:H) su entrambi i lati di wafer di silicio monocristallino molto ben puliti , di spessore inferiore a 160 μm, dove vengono fotogenerati elettroni e lacune.

HJT solar cell structure 400 Profile2

【Flusso di processo】

Process flow A black

【Caratteristiche principali】

Eff alto e Voc alto

Coefficiente di bassa temperatura 5-8 guadagno percentuale di potenza in uscita

Strutture bifacciali

【Caratteristiche principali】

Alta efficienza e alta Voc

Coefficiente di bassa temperatura 5-8 guadagno percentuale di potenza in uscita

Strutture bifacciali

【Dati tecnici】

DATI TECNICI E DESIGN		COEFFICIENTI DI TEMPERATURA E SALDABILITA'
Dimensione	166mm*166mm±0.25	TkUoc ( percentuale /K)	-0.192
Spessore	150 più 20 μm/-10 μm	TkIsc ( percentuale /K)	più 0.035
Davanti	9×0.1mm Elettrodo frontale del tipo a punto di saldatura	TkPMAX ( percentuale /K)	-0.236
Di ritorno	Elettrodo posteriore del tipo a punto di saldatura 9×0.1 mm	Forza di spellatura minima	>1,4 N/mm

PARAMETRI ELETTRICI a STC
No.	Efficienza (percentuale)	Pmpp (W)	Uoc (V)	Isc (A)	Ump (V)	Impp (A)	FF (percentuale)
1	24.40	6.69	0.746	10.758	0.644	10.386	83.35
2	24.30	6.66	0.746	10.754	0.644	10.352	83.10
3	24.20	6.63	0.745	10.750	0.643	10.318	82.84
4	24.10	6.61	0.745	10.745	0.643	10.282	82.56
5	24.00	6.58	0.744	10.740	0.642	10.245	82.27
6	23.90	6.55	0.744	10.728	0.642	10.210	82.06
7	23.80	6.52	0.744	10.716	0.641	10.175	81.84
8	23.70	6.50	0.744	10.683	0.642	10.124	81.76
9	23.60	6.47	0.744	10.649	0.642	10.072	81.67
10	23.50	6.44	0.743	10.628	0.640	10.072	81.64
11	23.40	6.41	0.741	10.607	0.637	10.072	81.61
12	23.30	6.39	0.741	10.602	0.635	10.058	81.35
13	23.20	6.36	0.740	10.596	0.633	10.043	81.09
14	23.10	6.34	0.741	10.563	0.635	9.979	80.88
15	23.00	6.31	0.742	10.530	0.636	9.914	80.67
16	22.90	6.28	0.742	10.504	0.635	9.890	80.57
17	22.80	6.25	0.742	10.477	0.634	9.865	80.46
18	22.70	6.23	0.741	10.488	0.632	9.850	80.18
19	22.60	6.20	0.739	10.499	0.630	9.834	79.89
20	22.50	6.17	0.738	10.496	0.629	9.809	79.72
21	22.40	6.14	0.736	10.493	0.628	9.784	79.54