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  • Cella solare HJT mono bifacciale tipo N
    Cella solare HJT mono bifacciale tipo N
    Silicon Heterojunction Technology (HJT) si basa su un emettitore e un campo superficiale posteriore (BSF) prodotti dalla crescita a bassa temperatura di strati ultrasottili di silicio amorfo (a-Si: H) su entrambi i lati di wafer di silicio
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  • Cella solare HJT tipo N da 210 mm M12
    Cella solare HJT tipo N da 210 mm M12
    La cella solare M12 da 210 mm con tecnologia di eterogiunzione al silicio (HJT) ha un'efficienza del 24,4% e una potenza nominale di 10,76 Watt per cella.
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  • Cella solare HJT tipo N da 166 mm M6
    Cella solare HJT tipo N da 166 mm M6
    La Silicon Heterojunction Technology (HJT) si basa su un emettitore e un campo di superficie posteriore (BSF) prodotti dalla crescita a bassa temperatura di strati ultrasottili di silicio amorfo (a-Si:H) su entrambi i lati di wafer di
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  • Cella solare TOPCon bifacciale tipo N 210 mm M12
    Cella solare TOPCon bifacciale tipo N 210 mm M12
    La tecnologia TOPCON (tunnel oxide passivated contact) aumenta l'efficienza delle celle solari di tipo N fino al 25 percento. La cella solare industriale TOPCon da 210 mm ha un'efficienza massima del 24,4 percento e una potenza nominale di
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  • Cella solare TOPCon bifacciale M10 tipo N da 182 mm
    Cella solare TOPCon bifacciale M10 tipo N da 182 mm
    La tecnologia TOPCON (tunnel oxide passivated contact) aumenta l'efficienza della cella solare di tipo N fino al 24,5%. La cella solare TOPCon monocristallina di tipo N da 182 mm ha una potenza nominale di 8,08 Watt con un'efficienza del
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  • Cella solare TOPCon bifacciale M6 tipo N da 166 mm
    Cella solare TOPCon bifacciale M6 tipo N da 166 mm
    Aggiornata dalla tecnologia PERT, la tecnologia TOPCON (tunnel oxide passivated contact) combinata con lo strato di passivazione AlOx/SiNx aumenta l'efficienza della cella solare di tipo N da 166 mm fino al 24,4%. La cella solare TOPCon
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  • Cella solare PERT bifacciale pseudo-quadrata tipo N
    Cella solare PERT bifacciale pseudo-quadrata tipo N
    Le celle solari al silicio mono bifacciale di tipo N PERT (emettitore passivo posteriore totalmente diffuso) possiedono efficienze di conversione elevate e stabilizzate. La cella solare PERT bifacciale di tipo n può essere prodotta con
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  • Cella solare bifacciale PERT tipo N da 158,75 mm
    Cella solare bifacciale PERT tipo N da 158,75 mm
    Le celle solari in silicio mono bifacciale di tipo N PERT (emettitore passivo posteriore totalmente diffuso) possiedono efficienze di conversione elevate e stabilizzate. Le celle solari in silicio di tipo N sono considerate alternative
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  • N Tipo IBC Cella Solare
    N Tipo IBC Cella Solare
    Nella struttura cellulare interdigitata a contatto posteriore (IBC) l'emettitore e il contatto sono entrambi sul lato posteriore del wafer che consente l'ottimizzazione indipendente della superficie anteriore per le proprietà ottiche e
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  • N Tipo Mono Bifacial PERT Cella Solare
    N Tipo Mono Bifacial PERT Cella Solare
    Le celle solari in silicio monofacciale PERT (emettitore passivato posteriore totalmente diffuso) di tipo N possiedono elevate e stabilizzate efficienze di conversione.Le celle solari al silicio di tipo N sono considerate alternative
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