Descrizione dei prodotti
Struttura del nucleo cellulare HJT
La tecnologia dell'eterogiunzione di silicio (HJT) si basa su un emettitore e un campo superficiale posteriore (BSF) prodotti dalla crescita a bassa temperatura di strati ultra-sottili di silicio amorfo (a-Si:H) su entrambi i lati di wafer di silicio monocristallino molto ben puliti, di spessore inferiore a 200 μm, dove elettroni e lacune vengono fotogenerati.
Processo di fabbricazione delle cellule HJT
Il processo delle celle è completato dalla deposizione di ossidi conduttori trasparenti che consentono un'ottima metallizzazione. La metallizzazione può essere effettuata mediante una serigrafia standard largamente utilizzata nell'industria per la maggior parte delle celle oppure con tecnologie innovative.
Vantaggi della tecnologia HJT
Le celle solari al silicio con tecnologia di eterogiunzione (HJT) hanno attirato molta attenzione perché possono raggiungere elevate efficienze di conversione, fino al 25%, utilizzando un trattamento a bassa temperatura, in genere inferiore a 250 gradi per il processo completo. La bassa temperatura di lavorazione consente la manipolazione di wafer di silicio di spessore inferiore a 100 μm mantenendo una resa elevata.
Flusso del processo
Caratteristiche principali
Alto Eff e alta Voc
Coefficiente di bassa temperatura Guadagno di potenza in uscita del 5-8%.
Strutture bifacciali
【Dati tecnici】
| DATI TECNICI E DESIGN | COEFFICIENTI DI TEMPERATURA E SALDABILITA' | ||
|---|---|---|---|
| Dimensione | 156,75 mm*156,75 mm±0,25 | TkUoc (%/K) | -0.27 |
| Spessore | 190±30 µm | TkIsc (%/K) | +0.05 |
| Fronte | 5 sbarre | TkPMAX (%/K) | -0.336 |
| Indietro | 5 sbarre | Minima resistenza alla pelatura | >1,4 N/mm |
| NO. | Efficienza (%) | Pmp (W) | Uoc (V) | Isc (A) | FF (%) |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 23.50 | 5.74 | 0.743 | 9.6 | 80.53 |
| 2 | 23.40 | 5.72 | 0.741 | 9.592 | 80.43 |
| 3 | 23.30 | 5.70 | 0.74 | 9.585 | 80.33 |
| 4 | 23.20 | 5.67 | 0.738 | 9.577 | 80.24 |
| 5 | 23.10 | 5.65 | 0.737 | 9.57 | 80.14 |
| 6 | 23.0 | 5.63 | 0.735 | 9.562 | 80.04 |
| 7 | 22.90 | 5.60 | 0.733 | 9.554 | 79.94 |
| 8 | 22.80 | 5.58 | 0.732 | 9.547 | 79.84 |
| 9 | 22.70 | 5.55 | 0.73 | 9.539 | 79.75 |
| 10 | 22.60 | 5.53 | 0.729 | 9.532 | 79.65 |
| 11 | 22.50 | 5.51 | 0.727 | 9.524 | 79.55 |
| 12 | 22.40 | 5.48 | 0.725 | 9.516 | 79.45 |
| 13 | 22.30 | 5.46 | 0.724 | 9.509 | 79.36 |
| 14 | 22.20 | 5.44 | 0.722 | 9.501 | 79.26 |
| 15 | 22.10 | 5.41 | 0.721 | 9.494 | 79.16 |
| 16 | 22.00 | 5.39 | 0.719 | 9.486 | 79.06 |
| 17 | 21.90 | 5.37 | 0.717 | 9.479 | 78.97 |
| 18 | 21.80 | 5.35 | 0.716 | 9.471 | 78.87 |
| 19 | 21.70 | 5.32 | 0.714 | 9.463 | 78.77 |
| 20 | 21.60 | 5.30 | 0.712 | 9.456 | 78.67 |
| 21 | 21.50 | 5.28 | 0.711 | 9.448 | 78.57 |
Certificato
Etichetta sexy: Cella solare HJT mono bifacciale tipo N, Cina, fornitori, produttori, fabbrica, made in China
