Nuovo wafer di silicio monocristallino "M10" da 182 mm x 182 mmmm

Nov 03, 2020

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I produttori di pannelli solari fotovoltaici hanno ufficialmente avviato gli sforzi per stabilire un nuovo standard di dimensioni dei wafer di grandi dimensioni "M10" (182 mm x 182 mm di tipo p monocristallino) per ridurre i costi di produzione in tutta la relativa catena di approvvigionamento dell'industria solare poiché il numero di dimensioni di wafer di grandi dimensioni ha emerso negli ultimi anni.


1. Proprietà del materiale

Proprietà

Specifiche

Metodo di ispezione

Metodo di crescita

CZ

--

cristallinità

Silicio monocristallino

Tecniche di incisione preferenziali(ASTM F47-88)

Tipo di conducibilità

tipo P

Napson EC-80TPN

P/N tester

drogante

boro/gallio

--

Concentrazione di ossigeno [Oi]

≤9E + 17 at/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentrazione di carbonio [Cs]

4E + 16 a/ cm3

FTIR(ASTM F123-91)

Densità della fossa di incisione (densità di dislocazione)

500 cm-2

Tecniche di incisione preferenziali(ASTM F47-88)

Orientamento della superficie

& lt;100<>

Metodo di diffrazione dei raggi X(ASTM F26-1987)

Orientamento dei lati pseudo quadrati

& lt;010>,<001> ±3°

Metodo di diffrazione dei raggi X(ASTM F26-1987)

2. Proprietà elettriche

Proprietà

Specifiche

Metodo di ispezione

resistività

0,4-1,5 .cm

sistema di ispezione wafer

MCLT

(Vita del vettore di minoranza)

≥50µs

Sinton BCT-400

QSSPC/Transitorio

(con livello di iniezione: 1E15 cm-3)


3. Geometria

Proprietà

Specifiche

Metodo di ispezione

Geometria

pseudo quadrato

--

Forma del bordo smussato

Il giro

--

Lunghezza lato wafer

182±0,25 mm

sistema di ispezione wafer

Diametro wafer

φ247±0,25 mm

sistema di ispezione wafer

Angolo tra lati adiacenti

90° ± 0.2°

sistema di ispezione wafer

Spessore

180﹢ 20/﹣10 µm

175﹢ 20/﹣10 µm

170﹢ 20/﹣10 µm

160﹢ 20/﹣10 µm

150﹢ 20/﹣10 µm

Altro

sistema di ispezione wafer

TTV (Variazione spessore totale)

≤ 28µm

sistema di ispezione wafer

image



4. Proprietà della superficie

Proprietà

Specifiche

Metodo di ispezione

Metodo di taglio

Sega a filo diamantato

--

Qualità della superficie

come tagliato e pulito, nessuna contaminazione visibile, (olio o grasso, impronte digitali, macchie, residui di colla epossidica non sono ammessi)

sistema di ispezione wafer

Segni di sega

≤ 15µm

sistema di ispezione wafer

Arco

≤ 40 µm

sistema di ispezione wafer

Ordito

≤ 40 µm

sistema di ispezione wafer

Patata fritta

profondità 0.3mm e lunghezza ≤ 0.5mm Max 2/pz; nessun V-chip

Occhi nudi o sistema di ispezione dei wafer

Micro crepe/fori

Non autorizzato

sistema di ispezione wafer



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