I produttori di pannelli solari fotovoltaici hanno ufficialmente avviato gli sforzi per stabilire un nuovo standard di dimensioni dei wafer di grandi dimensioni "M10" (182 mm x 182 mm di tipo p monocristallino) per ridurre i costi di produzione in tutta la relativa catena di approvvigionamento dell'industria solare poiché il numero di dimensioni di wafer di grandi dimensioni ha emerso negli ultimi anni.
1. Proprietà del materiale
Proprietà | Specifiche | Metodo di ispezione |
Metodo di crescita | CZ | -- |
cristallinità | Silicio monocristallino | Tecniche di incisione preferenziali(ASTM F47-88) |
Tipo di conducibilità | tipo P | Napson EC-80TPN P/N tester |
drogante | boro/gallio | -- |
Concentrazione di ossigeno [Oi] | ≤9E + 17 at/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Concentrazione di carbonio [Cs] | 4E + 16 a/ cm3 | FTIR(ASTM F123-91) |
Densità della fossa di incisione (densità di dislocazione) | 500 cm-2 | Tecniche di incisione preferenziali(ASTM F47-88) |
Orientamento della superficie | & lt;100<> | Metodo di diffrazione dei raggi X(ASTM F26-1987) |
Orientamento dei lati pseudo quadrati | & lt;010>,<001> ±3°001> | Metodo di diffrazione dei raggi X(ASTM F26-1987) |
2. Proprietà elettriche
Proprietà | Specifiche | Metodo di ispezione |
resistività | 0,4-1,5 .cm | sistema di ispezione wafer |
MCLT (Vita del vettore di minoranza) | ≥50µs | Sinton BCT-400 QSSPC/Transitorio (con livello di iniezione: 1E15 cm-3) |
3. Geometria
Proprietà | Specifiche | Metodo di ispezione |
Geometria | pseudo quadrato | -- |
Forma del bordo smussato | Il giro | -- |
Lunghezza lato wafer | 182±0,25 mm | sistema di ispezione wafer |
Diametro wafer | φ247±0,25 mm | sistema di ispezione wafer |
Angolo tra lati adiacenti | 90° ± 0.2° | sistema di ispezione wafer |
Spessore | 180﹢ 20/﹣10 µm 175﹢ 20/﹣10 µm 170﹢ 20/﹣10 µm 160﹢ 20/﹣10 µm 150﹢ 20/﹣10 µm Altro | sistema di ispezione wafer |
TTV (Variazione spessore totale) | ≤ 28µm | sistema di ispezione wafer |

4. Proprietà della superficie
Proprietà | Specifiche | Metodo di ispezione |
Metodo di taglio | Sega a filo diamantato | -- |
Qualità della superficie | come tagliato e pulito, nessuna contaminazione visibile, (olio o grasso, impronte digitali, macchie, residui di colla epossidica non sono ammessi) | sistema di ispezione wafer |
Segni di sega | ≤ 15µm | sistema di ispezione wafer |
Arco | ≤ 40 µm | sistema di ispezione wafer |
Ordito | ≤ 40 µm | sistema di ispezione wafer |
Patata fritta | profondità 0.3mm e lunghezza ≤ 0.5mm Max 2/pz; nessun V-chip | Occhi nudi o sistema di ispezione dei wafer |
Micro crepe/fori | Non autorizzato | sistema di ispezione wafer |









