【Introduzione al prodotto】


PROPRIETÀ DEI MATERIALI
Parametro | Caratteristica | Metodo di controllo ASTM |
Tipo / drogante | P, boro N, fosforo N, antimonio N, arsenico | F42 |
orientamenti | <100>, <111> separano gli orientamenti per le specifiche del cliente111>100> | F26 |
Contenuto di ossigeno | 10 18 ppmA Tolleranze personalizzate per specifiche del cliente | F121 |
Contenuto di carbonio | <0,5 ppma="" tolleranze="" personalizzate="" per="" specifiche="" del="">0,5> | F123 |
Intervallo di resistività - P, Boro- N, Fosforo- N, Antimonio-N, Arsenico | 0,001 - 50 ohm · cm | F84 |
PROPRIETÀ MECCANICHE
Parametro | primo | Monitor / Test A | Test | Metodo ASTM |
Diametro | 100 ± 0,2 mm | 100 ± 0,2 mm | 100 ± 0,5 mm | F613 |
Spessore | 525 ± 20 μm (standard) | 525 ± 25 μm (standard) 381 ± 25 μm 625 ± 25 μm 700 ± 25 μm 800 ± 25 μm 1000 ± 25 μm 1500 ± 25 μm | 525 ± 50 μm (standard) | F533 |
TTV | <5>5> | <10>10> | <15>15> | F657 |
Arco | <30>30> | <30>30> | <40>40> | F657 |
avvolgere | <30>30> | <30>30> | <40>40> | F657 |
Arrotondamento dei bordi | SEMI-STD | F928 | ||
Marcatura | Appartamenti SEMI-STD, solo SEMI-Flat primari | F26, F671 | ||
QUALITÀ DELLA SUPERFICIE
Parametro | primo | Monitor / Test A | Test | Metodo ASTM |
Criteri sul lato anteriore | ||||
Condizione di superficie | Meccanico meccanico lucido | Meccanico meccanico lucido | Meccanico meccanico lucido | F523 |
Ruvidezza della superficie | <2 a="">2> | <2 a="">2> | <2 a="">2> | |
Contaminazione, particelle @> 0,3 μm | = 20 | = 20 | = 30 | F523 |
Foschia, buche, scorza d'arancia | Nessuna | Nessuna | Nessuna | F523 |
Saw Marks, striature | Nessuna | Nessuna | Nessuna | F523 |
Back Side Criteria | ||||
Crepe, zampe di gallina, seghe, macchie | Nessuna | Nessuna | Nessuna | F523 |
Condizione di superficie | Caustico inciso | F523 | ||
【 Descrizione del prodotto 】
La linea di prodotti Microelectronics comprende substrati di wafer lato singolo lucido (SSP) e doppio lato lucido (DSP). I wafer lucidati a doppio lato sono tipicamente richiesti in semiconduttori, MEMS e altre applicazioni in cui sono richiesti wafer con caratteristiche di planarità strettamente controllate.
Offriamo anche pezzi di wafer rettangolari e quadrati. La gamma delle lunghezze dei bordi per i wafer di silicio è fondamentalmente realizzabile: 5 x 5 mm2 ... 100 x 120 mm2, ecc. Il pezzo di costo / wafer dipende dal materiale e dal numero di pezzi di wafer richiesti.
Decking e lucidatura personalizzati sono disponibili anche in base alle vostre esigenze. Non esitate a contattarci.
【 Caratteristiche del prodotto 】
· 4 "tipo P / N, wafer di silicio lucido (25 pezzi)
· Orientamento: 100
· Resistività: 0,1 - 40 Ohm · cm (Può variare da lotto a lotto)
· Spessore: 525 +/- 20um
· Prime / Monitor / Test
Etichetta sexy: Wafer da 4 pollici (100mm), Cina, fornitori, produttori, fabbrica, made in China








