Descrizione

Parametri tecnici

CZ silicon crystal growth

p-type-182mm-monocrystalline-solar-wafer12427330843

Ottimizzato per applicazioni solari ad alta efficienza, il wafer di silicio monocristallino M6 di tipo N è dotato di un design pseudo-quadrato 166 × 166 mm con proprietà di materiale superiore. Prodotto utilizzando il metodo CZ con drogaggio di fosforo, offre un'eccellente qualità del cristallo con<100>Orientamento e bassa densità di difetto (inferiore o uguale a 500 cm⁻²). Il wafer offre conducibilità di tipo N con resistività 1,0-7,0 Ω · cm e maggiore o uguale a 1000 µs di durata del vettore, rendendolo ideale per le tecnologie cellulari TopCon ed eterojunzione. La sua geometria precisa (diametro φ223 mm, inferiore o uguale a 27 µM di TTV) e gli standard di qualità della superficie rigorosi garantiscono prestazioni ottimali nei moduli fotovoltaici. La dimensione M6 offre il perfetto equilibrio tra efficienza cellulare e produttività manifatturiera per le moderne linee di produzione solare.

1. Proprietà del materiale

Proprietà	Specifiche	Metodo di ispezione
Metodo di crescita	Cz
Cristallinità	Monocristallino	Tecniche di incisione preferenziali(ASTM F47-88)
Tipo di conducibilità	Tipo n	Napson EC-80TPN
Drogante	Fosforo	-
Concentrazione di ossigeno [OI]	Meno o uguale a8e +17 at/cm³	FTIR (ASTM F121-83)
Concentrazione del carbonio [CS]	Meno o uguale a5e +16 at/cm³	FTIR (ASTM F123-91)
Densità di fossa di incisione (densità di dislocazione)	Meno o uguale a500 cm^-2	Tecniche di incisione preferenziali(ASTM F47-88)
Orientamento della superficie	<100>± 3 gradi	Metodo di diffrazione dei raggi X (ASTM F26-1987)
Orientamento dei lati quadrati pseudo	<010>,<001>± 3 gradi	Metodo di diffrazione dei raggi X (ASTM F26-1987)

2. Proprietà elettriche

Proprietà	Specifiche	Metodo di ispezione
Resistività	1.0-7.0 ω.cm	Sistema di ispezione del wafer
MCLT (Lifetime del trasporto di minoranza)	Maggiore o uguale a 1000 µs	Sinton BCT-400 Transitorio (con livello di iniezione: 5e14 cm^-3)

3.Geometria

Proprietà	Specifiche	Metodo di ispezione
Geometria	Pseudo Square
Forma del bordo smusso	girare
Lunghezza lato wafer	166 ± 0,25 mm	Sistema di ispezione del wafer
Diametro del wafer	φ223 ± 0,25 mm	Sistema di ispezione del wafer
Angolo tra i lati adiacenti	90 gradi ± 0,2 gradi	Sistema di ispezione del wafer
Spessore	180﹢ 20/﹣10 µm 175﹢ 20/﹣10 µm 170﹢ 20/﹣10 µm 160﹢ 20/﹣10 µm 150﹢ 20/﹣10 µm	Sistema di ispezione del wafer
TTV (variazione di spessore totale)	Meno o uguale a 27 µm	Sistema di ispezione del wafer

N-Type M6 Monocrystalline Silicon Wafer Specification1

4.Proprietà di superficie

Proprietà	Specifiche	Metodo di ispezione
Metodo di taglio	Dw	--
Qualità della superficie	Come tagliato e pulito, nessuna contaminazione visibile (olio o grasso, impronte digitali, macchie di sapone, macchie di liquame, macchie epossidiche/colla non sono consentite)	Sistema di ispezione del wafer
Segni / gradini	Meno o uguale a 15 µm	Sistema di ispezione del wafer
Arco	Meno o uguale a 40 µm	Sistema di ispezione del wafer
Ordito	Meno o uguale a 40 µm	Sistema di ispezione del wafer
Chip	profondità inferiore o uguale a 0,3 mm e lunghezza inferiore o uguale a 0,5 mm max 2/pcs; Nessun v-chip	Occhi nudi o sistema di ispezione del wafer
Micro crepe / buchi	Non consentito	Sistema di ispezione del wafer

Etichetta sexy: Specifiche del wafer di silicio monocristallino M6 di tipo N, Cina, fornitori, produttori, fabbrica, realizzato in Cina

Specifica del wafer di silicio monocristallino M6 di tipo n