Attualmente il solare fotovoltaico al silicio utilizza principalmente wafer monocristallini di tipo P da 156,75 mm x 156,75 mm, ma alcuni di essi stanno migrando verso wafer più grandi e dimensioni delle celle come 158,75 mm x 158,75 mm. Alcuni dei produttori hanno già avviato questo processo. Uno dei motivi per cui il wafer quadrato da 158,75 mm ottiene maggiore attenzione è che le dimensioni del modulo vicine al passato standard a 60 celle eModuli a 72 celle, che forniscono retrofit e mantenimento delle apparecchiature di produzione esistenti.
In futuro per i wafer mono-Si, il quadrato pieno da 158,75 mm diventerà il design più adottato dalla maggior parte dei produttori di pannelli fotovoltaici. Ovviamente ci sono alcuni produttori che usano wafer più grandi di questo. LG e Hanwha Q Cells, ad esempio, utilizzano wafer M4 (161,7 mm), mentre Longi sta promuovendo wafer da 166 mm (M6).
1 Proprietà dei materiali
Proprietà | Specifiche | Metodo di ispezione |
Metodo di crescita | CZ | |
cristallinità | Monocristallino | Tecniche di incisione preferenziali（ASTM F47-88） |
Tipo di conducibilità | tipo P | Napson EC-80TPN P/N |
drogante | boro, gallio | - |
Concentrazione di ossigeno[Oi] | ≦8E+17 a/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Concentrazione di carbonio[Cs] | ≦5E+16 a/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Densità della fossa di incisione (densità di dislocazione) | ≦500 cm-3 | Tecniche di incisione preferenziali（ASTM F47-88） |
Orientamento della superficie | & lt;100>±3° | Metodo di diffrazione dei raggi X (ASTM F26-1987) |
Orientamento dei lati pseudo quadrati | & lt;010>,<001>±3° | Metodo di diffrazione dei raggi X (ASTM F26-1987) |
2 Proprietà elettriche
Proprietà | Specifiche | Metodo di ispezione |
resistività | 0,5-1,5 cm | Sistema di ispezione wafer |
MCLT (vita del vettore di minoranza) | ≧50 μs | Sinton BCT-400 (con livello di iniezione: 1E15 cm-3) |
3Geometria
Proprietà | Specifiche | Metodo di ispezione |
Geometria | quadrato pieno | |
Lunghezza lato wafer | 158,75±0,25 mm | sistema di ispezione wafer |
Diametro wafer | 223±0,25 mm | sistema di ispezione wafer |
Angolo tra lati adiacenti | 90° ± 0.2° | sistema di ispezione wafer |
Spessore | 180﹢20/﹣10 µm; 170﹢20/﹣10 µm | sistema di ispezione wafer |
TTV (Variazione spessore totale) | ≤27 µm | sistema di ispezione wafer |
4 Proprietà della superficie
Proprietà | Specifiche | Metodo di ispezione |
Metodo di taglio | DW | -- |
Qualità della superficie | come tagliato e pulito, nessuna contaminazione visibile (olio o grasso, impronte digitali, macchie di sapone, macchie di impasto liquido, macchie di colla epossidica non sono ammessi) | sistema di ispezione wafer |
Segni di sega / gradini | ≤ 15µm | sistema di ispezione wafer |
Arco | ≤ 40 µm | sistema di ispezione wafer |
Ordito | ≤ 40 µm | sistema di ispezione wafer |
Patata fritta | profondità 0.3mm e lunghezza ≤ 0.5mm Max 2/pz; nessun V-chip | Occhi nudi o sistema di ispezione dei wafer |
Micro crepe/fori | Non autorizzato | sistema di ispezione wafer |
Etichetta sexy: wafer solare monocristallino tipo p 158,75 mm, Cina, fornitori, produttori, fabbrica, made in China
