Una metodologia consiste nel seguire il percorso per aumentare la larghezza attraverso il wafer monocristallino da 125 mm a 156 mm e aumentare le dimensioni del modulo, ad esempio uno pseudo-quadrato di 158,75 mmmonocristallinowafer o quadrato pienomonocristallinowafer (diametro wafer 223mm). Il158,75 mmquadrato pienomonocristallinowafer (diametro wafer 223mm) aumenta l'area del wafer di circa il 3,1% rispetto al formato M2, che aumenta la potenza di un modulo a 60 celle di quasi 10 Wp.
1 Proprietà dei materiali
Proprietà | Specifiche | Metodo di ispezione |
Metodo di crescita | CZ | |
cristallinità | Monocristallino | Tecniche di incisione preferenziali（ASTM F47-88） |
Tipo di conducibilità | tipo P | Napson EC-80TPN P/N |
drogante | Boro, Gallio | - |
Concentrazione di ossigeno[Oi] | ≦8E+17 a/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Concentrazione di carbonio[Cs] | ≦5E+16 a/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
Densità della fossa di incisione (densità di dislocazione) | ≦500 cm-3 | Tecniche di incisione preferenziali（ASTM F47-88） |
Orientamento della superficie | & lt;100>±3° | Metodo di diffrazione dei raggi X (ASTM F26-1987) |
Orientamento dei lati pseudo quadrati | & lt;010>,<001>±3° | Metodo di diffrazione dei raggi X (ASTM F26-1987) |
2 Proprietà elettriche
Proprietà | Specifiche | Metodo di ispezione |
resistività | 0,5-1,5 cm | Sistema di ispezione wafer |
MCLT (vita del vettore di minoranza) | ≧50 μs | Sinton BCT-400 (con livello di iniezione: 1E15 cm-3) |
3Geometria
Proprietà | Specifiche | Metodo di ispezione |
Geometria | quadrato pieno | |
Lunghezza lato wafer | 158,75±0,25 mm | sistema di ispezione wafer |
Diametro wafer | 223±0,25 mm | sistema di ispezione wafer |
Angolo tra lati adiacenti | 90° ± 0.2° | sistema di ispezione wafer |
Spessore | 180﹢20/﹣10 µm; 170﹢20/﹣10 µm | sistema di ispezione wafer |
TTV (Variazione spessore totale) | ≤27 µm | sistema di ispezione wafer |
4 Proprietà della superficie
Proprietà | Specifiche | Metodo di ispezione |
Metodo di taglio | DW | -- |
Qualità della superficie | come tagliato e pulito, nessuna contaminazione visibile (olio o grasso, impronte digitali, macchie di sapone, macchie di impasto liquido, macchie di colla epossidica non sono ammessi) | sistema di ispezione wafer |
Segni di sega / gradini | ≤ 15µm | sistema di ispezione wafer |
Arco | ≤ 40 µm | sistema di ispezione wafer |
Ordito | ≤ 40 µm | sistema di ispezione wafer |
Patata fritta | profondità 0.3mm e lunghezza ≤ 0.5mm Max 2/pz; nessun V-chip | Occhi nudi o sistema di ispezione dei wafer |
Micro crepe/fori | Non autorizzato | sistema di ispezione wafer |
Etichetta sexy: wafer solare monocristallino quadrato pieno di tipo p, Cina, fornitori, produttori, fabbrica, made in China
