Wafer solare monocristallino tipo P da 161,7 mm

Metodo di crescita

CZ

cristallinità

Monocristallino

Tecniche di incisione preferenziali（ASTM F47-88）

Tipo di conducibilità

tipo P

Napson EC-80TPN

P/N

drogante

boro, gallio

-

Concentrazione di ossigeno[Oi]

≦8E+17 a/cm³

FTIR (ASTM F121-83)

Concentrazione di carbonio[Cs]

≦5E+16 a/cm³

FTIR (ASTM F123-91)

Densità della fossa di incisione (densità di dislocazione)

≦500 cm^-3

Tecniche di incisione preferenziali（ASTM F47-88）

Orientamento della superficie

& lt;100>±3°

Metodo di diffrazione dei raggi X (ASTM F26-1987)

Orientamento dei lati pseudo quadrati

& lt;010>,<001>±3°

Metodo di diffrazione dei raggi X (ASTM F26-1987)

resistività

0,5-1,5 cm

Sistema di ispezione wafer

MCLT (vita del vettore di minoranza)

≧50 μs

Sinton BCT-400

(con livello di iniezione: 1E15 cm^-3)

Geometria

Quasi quadrato

Lunghezza lato wafer

161,7±0,25 mm

sistema di ispezione wafer

Diametro wafer

221±0,25 mm

sistema di ispezione wafer

Angolo tra lati adiacenti

90° ± 0.2°

sistema di ispezione wafer

Spessore

180﹢20/﹣10 µm;

170﹢20/﹣10 µm

TTV (Variazione spessore totale)

≤27 µm

sistema di ispezione wafer

Metodo di taglio

DW

--

Qualità della superficie

come tagliato e pulito, nessuna contaminazione visibile (olio o grasso, impronte digitali, macchie di sapone, macchie di impasto liquido, macchie di colla epossidica non sono ammessi)

sistema di ispezione wafer

Segni di sega / gradini

≤ 15µm

sistema di ispezione wafer

Arco

≤ 40 µm

sistema di ispezione wafer

Ordito

≤ 40 µm

sistema di ispezione wafer

Patata fritta

profondità 0.3mm e lunghezza ≤ 0.5mm Max 2/pz; nessun V-chip

Occhi nudi o sistema di ispezione dei wafer

Micro crepe/fori

Non autorizzato

sistema di ispezione wafer