Wafer solare monocristallino tipo P M6

Wafer solare monocristallino tipo P M6

Il wafer solare in silicio monocristallino di tipo P M6 con un diametro di 223 mm è del 12,21% più grande del wafer M2.
Share to
Invia la tua richiesta
Chatta adesso
Descrizione
Parametri tecnici


M6 solar wafer 2


P type monocrystalline wafer 1


P type monocrystalline wafer 2


Il wafer solare in silicio monocristallino di tipo P M6 con una lunghezza di 166 mm e un diametro di 223 mm è del 12,21% più grande del wafer M2. significa che le celle solari realizzate con il substrato M6 avranno una potenza in uscita del 12,21% superiore a quella realizzata con il substrato M2.


1 Proprietà dei materiali

Proprietà

Specifiche

Metodo di ispezione

Metodo di crescita

CZ


cristallinità

Monocristallino

Tecniche di incisione preferenzialiASTM F47-88

Tipo di conducibilità

tipo P

Napson EC-80TPN

P/N

drogante

boro, gallio

-

Concentrazione di ossigeno[Oi]

≦8E+17 a/cm3

FTIR (ASTM F121-83)

Concentrazione di carbonio[Cs]

5E+16 a/cm3

FTIR (ASTM F123-91)

Densità della fossa di incisione (densità di dislocazione)

500 cm-3

Tecniche di incisione preferenzialiASTM F47-88

Orientamento della superficie

& lt;100>±3°

Metodo di diffrazione dei raggi X (ASTM F26-1987)

Orientamento dei lati pseudo quadrati

& lt;010>,<001>±3°

Metodo di diffrazione dei raggi X (ASTM F26-1987)

2 Proprietà elettriche

Proprietà

Specifiche

Metodo di ispezione

resistività

0,5-1,5 cm

Sistema di ispezione wafer

MCLT (vita del vettore di minoranza)

50 μs

Sinton BCT-400

(con livello di iniezione: 1E15 cm-3)

3Geometria

Proprietà

Specifiche

Metodo di ispezione

Geometria

quadrato pieno


Lunghezza lato wafer

166±0,25 mm

sistema di ispezione wafer

Diametro wafer

223±0,25 mm

sistema di ispezione wafer

Angolo tra lati adiacenti

90° ± 0.2°

sistema di ispezione wafer

Spessore

18020/10 µm;

17020/10 µm

sistema di ispezione wafer

TTV (Variazione spessore totale)

27 µm

sistema di ispezione wafer


166mmx166mm M6 solar wafer

4 Proprietà della superficie

Proprietà

Specifiche

Metodo di ispezione

Metodo di taglio

DW

--

Qualità della superficie

come tagliato e pulito, nessuna contaminazione visibile (olio o grasso, impronte digitali, macchie di sapone, macchie di impasto liquido, macchie di colla epossidica non sono ammessi)

sistema di ispezione wafer

Segni di sega / gradini

≤ 15µm

sistema di ispezione wafer

Arco

≤ 40 µm

sistema di ispezione wafer

Ordito

≤ 40 µm

sistema di ispezione wafer

Patata fritta

profondità 0.3mm e lunghezza ≤ 0.5mm Max 2/pz; nessun V-chip

Occhi nudi o sistema di ispezione dei wafer

Micro crepe/fori

Non autorizzato

sistema di ispezione wafer




Etichetta sexy: p tipo m6 wafer solare monocristallino, Cina, fornitori, produttori, fabbrica, made in China

Invia la tua richiesta
Invia la tua richiesta