Substrato SiC di tipo 4H N-

I substrati SiC di tipo N- sono progettati per la crescita omoepitassiale nella produzione avanzata di semiconduttori di potenza. Con prestazioni elettriche e termiche superiori, queste elevate-prestazioniSubstrato SiCè adatto per applicazioni ad alta-potenza nei veicoli elettrici, nei sistemi fotovoltaici, nell'energia eolica e in altre nuove tecnologie energetiche.

La gamma di prodotti comprende 6 pollici e 8 polliciWafer SiCper la produzione in volumi e la fornitura globale, con capacità di produzione di substrati da 12-pollici disponibile per applicazioni di semiconduttori di potenza di prossima generazione.

 

6 pollici
Diametro	150,0 mm+0 mm/-0,2 mm
Orientamento della superficie	4 gradi verso<1120>±0,5 gradi
Lunghezza piatta primaria	47,5 mm±1,5 mm
Orientamento piatto primario	<1120>±1,0 gradi
Orientamento della tacca	/
Angolo della tacca	/
Profondità della tacca	/
Appartamento secondario	N/A
Spessore	350,0 um±25,0 um
Politipo	4H
Tipo	n-tipo

 

 

 

8 pollici
Diametro	200,0 mm+0 mm/-0,5 mm
Orientamento della superficie	4 gradi verso<1120>±0,5 gradi
Lunghezza piatta primaria	Tacca
Orientamento piatto primario	/
Orientamento della tacca	<1100>±1,0 gradi
Angolo della tacca	90 gradi +5 gradi/-1 grado
Profondità della tacca	1,0 mm+0.25 mm/-0 mm
Appartamento secondario	N/A
Spessore	500,0um±25,0um
Politipo	4H
Tipo	n-tipo

 

 

12 pollici
Diametro	300,0 mm+0 mm/-0,5 mm
Orientamento della superficie	4 gradi verso<1120>±0,5 gradi
Lunghezza piatta primaria	Tacca
Orientamento piatto primario	/
Orientamento della tacca	<1100>±5,0 gradi
Angolo della tacca	90 gradi +5 gradi/-1 grado
Profondità della tacca	1,0 mm+0.25 mm/-0 mm
Appartamento secondario	N/A
Spessore	750,0um±25,0um
Politipo	4H
Tipo	n-tipo