Wafer SiC semi-isolante 4H

Wafer SiC semi-isolante 4H

I substrati SiC semi-isolanti offrono elevata resistività ed eccellenti proprietà termiche, rendendoli adatti alla crescita eteroepitassiale GaN e alle applicazioni di semiconduttori RF ad alta-frequenza. Essendo un substrato SiC ad alte-prestazioni, è ampiamente utilizzato per dispositivi basati su HEMT-nei sistemi di comunicazione avanzati, inclusa l'infrastruttura 5G. Questi wafer SiC semi-isolanti forniscono anche eccellenti proprietà ottiche e dei materiali, supportando le applicazioni emergenti nell'optoelettronica e nell'elettronica indossabile. 12-substrati SiC da pollici offrono potenziale per applicazioni di prossima-generazione come occhiali AR e altri dispositivi ottici avanzati.
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Descrizione
Parametri tecnici

 

Introduzione ai prodotti

 

 

I substrati SiC semi-isolanti offrono elevata resistività ed eccellenti proprietà termiche, rendendoli adatti alla crescita eteroepitassiale GaN e alle applicazioni di semiconduttori RF ad alta-frequenza. Ad alte-prestazioniSubstrato SiC, è ampiamente utilizzato per i dispositivi basati su HEMT-nei sistemi di comunicazione avanzati, inclusa l'infrastruttura 5G.

 

Questi semi-isolantiWafer SiCforniscono inoltre eccellenti proprietà ottiche e dei materiali, supportando le applicazioni emergenti nell'optoelettronica e nell'elettronica indossabile. 12-i substrati SiC da pollici offrono potenziale per applicazioni di prossima-generazione come occhiali AR e altri dispositivi ottici avanzati.

 

 

 

Specifiche

 

 

 

product-1-1

 

6 pollici
Diametro 150,0 mm+0 mm/-0,2 mm
Orientamento della superficie {0001}±0,2 gradi
Orientamento piatto primario /
Orientamento piatto secondario /
Lunghezza piatta primaria Tacca
Lunghezza piatta secondaria Nessuno
Orientamento della tacca <1100>±1,0 gradi
Profondità della tacca Nessuno1 mm+0.25 mm/-0 mm dal bordo
Angolo della tacca 90 gradi +5 gradi/-1 grado
Spessore 500,0um±25,0um
Tipo Semi-isolante

 

 

 

 

 

8 pollici
Diametro 200,0 mm+0 mm/-0,5 mm
Orientamento della superficie {0001}±0,2 gradi
Orientamento piatto primario /
Orientamento piatto secondario /
Lunghezza piatta primaria Tacca
Lunghezza piatta secondaria Nessuno
Orientamento della tacca <1100>±1,0 gradi
Profondità della tacca Nessuno1 mm+0.25 mm/-0 mm dal bordo
Angolo della tacca 90 gradi +5 gradi/-1 grado
Spessore 500,0um±25,0um
Tipo Semi-isolante

 

 

product-1-1

 

 

 

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12 pollici
Diametro 300,0 mm+0 mm/-0,5 mm
Orientamento della superficie {0001}±0,5 gradi
Orientamento piatto primario /
Orientamento piatto secondario /
Lunghezza piatta primaria Tacca
Lunghezza piatta secondaria Nessuno
Orientamento della tacca <1100>±5,0 gradi
Profondità della tacca Nessuno1 mm+0.25 mm/-0 mm dal bordo
Angolo della tacca 90 gradi +5 gradi/-1 grado
Spessore 750,0um±25,0um
Tipo Semi-isolante

 

 

Certificato

 

 

 

1







 

Etichetta sexy: Wafer SiC semi-isolante 4H, Cina, fornitori, produttori, fabbrica, made in China

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