Introduzione ai prodotti
I substrati SiC di tipo P- sono progettati per la crescita omoepitassiale e lo sviluppo di dispositivi a semiconduttore di potenza a tensione ultra-alta-. Con eccellenti caratteristiche elettriche e termiche, queste elevate-prestazioniSubstrato SiCè adatto per applicazioni esigenti ad alta{0}}potenza, tra cui la trasmissione di potenza ad altissima-alta-tensione e l'infrastruttura di rete intelligente.
Questi tipo P-Wafer SiCsupportano anche applicazioni nel trasporto ferroviario, nei sistemi di alimentazione industriale e altre apparecchiature elettriche ad alta-potenza dove sono richieste capacità di alta-tensione, affidabilità ed efficiente conversione di potenza.
Specifiche
| 6 pollici | |
|---|---|
| Diametro | 150,0 mm+0 mm/-0,2 mm |
| Orientamento della superficie | 4 gradi verso<1120>±0,5 gradi |
| Lunghezza piatta primaria | 47,5 mm±1,5 mm |
| Orientamento piatto primario | <1120>±5,0 gradi |
| Orientamento della tacca | / |
| Angolo di tacca | / |
| Profondità della tacca | / |
| Spessore | 350,0 um±25,0 um |
| Politipo | 4H |
| Tipo | p-tipo |
| 8 pollici | |
|---|---|
| Diametro | 200,0 mm+0 mm/-0,2 mm |
| Orientamento della superficie | 4 gradi verso<1120>±0,5 gradi |
| Lunghezza piatta primaria | Tacca |
| Orientamento piatto primario | / |
| Orientamento della tacca | <1100>±1,0 gradi |
| Angolo di tacca | 90 gradi +5 gradi/-1 grado |
| Profondità della tacca | 1,0 mm+0.25 mm/-0 mm |
| Spessore | 350,0 um±25,0 um |
| Politipo | 4H |
| Tipo | p-tipo |
| 12 pollici | |
|---|---|
| Diametro | 300,0 mm±0,5 mm |
| Orientamento della superficie | 4 gradi verso<1120>±0,5 gradi |
| Lunghezza piatta primaria | Tacca |
| Orientamento piatto primario | / |
| Orientamento della tacca | <1100>±5,0 gradi |
| Angolo di tacca | 90 gradi +5 gradi/-1 grado |
| Profondità della tacca | 1,0 mm+0.25 mm/-0 mm |
| Spessore | 750,0um±25,0um |
| Politipo | 4H |
| Tipo | p-tipo |
Certificato
Etichetta sexy: Wafer SiC tipo 4H P-, Cina, fornitori, produttori, fabbrica, made in China
